由海外归国技术专家和国内功率半导体行业顶尖产品开发团队创办，致力于开发新一代节能高效碳化硅功率芯片和模块，在功率半导体和碳化硅材料器件领域拥有十多年的技术积累。中瑞宏芯半导体持续提升企业创新能力和核心竞争力，与苏州第三代半导体研究院共同打造碳化硅材料与芯片生产研发基地，自建工程实验中心，并在瑞典设有海外销售和研发中心，以创新驱动产业升级，自主研发的碳化硅肖特基二极管和碳化硅 MOSFET 等产品已达到国际一线，国内领先的水平。
       碳化硅功率芯片在光伏新能源、电动汽车、动车高铁、电网、工业和消费级电源等领域应用前景巨大。以新能源汽车需求为例: SiC芯片是电动汽车的核心, 电机主逆变器，DC/DC变压器，OBC车载充电器，充电桩等都需要用到碳化硅芯片。
       第一代半导体硅（Si）已不能满足大功率密度电力电子器件的应用需求；第三代半导体碳化硅（SiC）以优异的材料性能，成为新一代绿色经济核心半导体材料：
1、高耐压 — 3倍于硅的禁带宽度，10倍于硅的击穿电场强度。
2、低损耗 — 导通电阻降至硅的1/100，高频开关损耗低。
3、高耐温 — 硅器件一般工作温度150℃，SiC器件理论可达600℃。
4、高导热率 — 器件散热性能佳，可缩小或省去系统冷却部分。